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常見問題
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SiTime晶振公司MEMS技術起源于博世和斯坦福大學。在我們的創(chuàng)始人創(chuàng)立SiTime之前,他們花了數年時間,在德國的博世和加州的帕洛阿爾托研發(fā)挽救生命的MEMS解決方案。自2005年成立以來,SiTime公司開發(fā)了幾代先進的kHz和MHz MEMS諧振器,它們具有最高的性能、最小的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性。我們還開發(fā)了一個全面的開發(fā)和仿真平臺,確保了我們所有MEMS諧振器的第一個硅成功。
除了MEMS和模擬電路的專業(yè)知識外,SiTime還具備以優(yōu)異的質量和可靠性交付大量石英晶體振蕩器產品的能力。這種能力來自于我們的裝配、測試和校準技術,使我們能夠提供一個完全集成的解決方案,完全可以與行業(yè)標準的腳印相兼容。這種兼容性允許客戶快速地采用MEMS的定時解決方案,并且風險最小。

SiTime晶振,貼片晶振,SiT1618B晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
超小型石英貼片晶振晶片的設計:石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內,由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強,從而造成如若石英晶振晶片的長度或寬度尺寸設計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導致產品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果.SiT1618B晶振,低電源電壓晶振,小型SMD晶振
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輻射
晶振產品暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射.SiT1618B晶振,低電源電壓晶振,小型SMD晶振
化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1618B晶振
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑. (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

美國SiTime晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務活動的所有領域,從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、可編程晶體振蕩器,有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.SiT1618B晶振,低電源電壓晶振,小型SMD晶振
遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協議和任何公司承諾的其他要求.根據環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討SITIME可編程晶振生產環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.SiTime晶振,貼片晶振,SiT1618B晶振
SiTime晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的.過去SiTime晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身可編程晶振生產環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.


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